。靜態(tài)隨機(jī)存儲器采用6T架構(gòu),而動態(tài)隨機(jī)存儲器采用1T(晶體管)1C(電容器)架構(gòu),因此,同樣的體積,PSRAM的容量可以做得更大,相對價格更低。"/>
PSRAM 是什么?發(fā)表時間:2024-05-10 15:04 1.PSRAM是什么? PSRAM,全稱 偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器,它是采用動態(tài)隨機(jī)存儲器的工藝和技術(shù),實現(xiàn)類似于靜 態(tài)隨機(jī)存儲器一樣的存儲器件。靜態(tài)隨機(jī)存儲器采用6T架構(gòu),而動態(tài)隨機(jī)存儲器采用1T(晶體管)1C(電容器)架構(gòu),因此,同樣的體積,PSRAM的容量可以做得更大,相對價格更低。 2.什么情形下會使用到PSRAM?為什么會使用PSRAM? ①PSRAM對于要求有一定緩存容量的眾多便攜式產(chǎn)品是一個理想的選擇;尤其是數(shù)據(jù)密集、突發(fā)存取、涉及數(shù)據(jù)算法(如FFT、DFT等等)的應(yīng)用 ②PSRAM既具有SRAM電路接口簡潔的優(yōu)點,又具備DRAM容量大的特點,同時將刷新電路集成進(jìn)芯片內(nèi)部,兼具SRAM的簡單易用、DRAM的較大容量的優(yōu)點;得到廣大工程師與客戶的支持與認(rèn)可,并廣泛使用; ③傳統(tǒng)PSRAM是平行接口的,需要消耗較多MCU/SoC的I/O管腳資源。IPUS推出了支持SPI/QSPI接口的串行PSRAM,為沒有并行RAM擴(kuò)展接口的MCU/SoC提供了內(nèi)存擴(kuò)展方式。 3.PSRAM與DRAM/SRAM的優(yōu)勢是什么? 與靜態(tài)存儲器的比較 ①與SRAM(采用6T的技術(shù))相比,PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),PSRAM容量比SRAM大很多,體積更為輕巧; ②PSRAM價格比SRAM便宜很多,售價更具有競爭力; ③PSRAM的I/O接口協(xié)議與SRAM相同; 與DRAM的比較 ①PSRAM采用的是自行刷新(Self-Refresh),不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù);而DRAM每隔一段時間,要刷新充電一次, 否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失,因此PSRAM具有更高的性能; ②PSRAM擁有比DRAM更簡化的數(shù)據(jù)存取接口; 4.PSRAM適用的接口都有哪些? PSRAM主要適用的接口包括SPI、Quad SPI、Octal SPI等; 基于上述分析,psram相比傳統(tǒng)存儲器具有如下優(yōu)點: 1 更大的帶寬:串行psram通過八路串行接口對外互聯(lián),最高在200MHz Double-Data-Rate速率下,可實現(xiàn)超3Gbps的帶寬傳輸; 2 更高的容量:目前可實現(xiàn)存儲容量有:32M、64M、256M,這比市面上其他串行接口隨機(jī)存儲器的容量要大很多; 3 更低的成本:串行psram采用DRAM架構(gòu),可以有效壓縮芯片體積,故串行psram生產(chǎn)成本接近DRAM成本; 4 更小的尺寸:串行psram的低引腳數(shù)封裝與傳統(tǒng)的RAM存儲相比,具有尺寸更小、成本更低等優(yōu)勢; 5 更廣的應(yīng)用:psram采用的是自行刷新(Self-Refresh),不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù);而DRAM每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失,因此psram相比傳統(tǒng)RAM會有更廣的應(yīng)用; |